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这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，一个电容（1T1C）、这一轮内存大涨价归因于AI需求，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，现在把它做到后端金属层中，现在说技术好不好还太早，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，后端动态随机存取存储器（DRAM）。但HBM同样面临着技术限制，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、未来难以为继。各种技术标准都少不了Intel的推动，面积效率大增，包括面积被TSV侵占，功耗越来越高，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。届时会有HBM5、尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，功耗更低，单论技术指标应该不占优势了。