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为弥补这一短板，实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低若速度降至1.1MB/s，实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写在混合读写测试中，入速SLC缓存容量约为250GB。度更低但在缓存耗尽后的实测持续写入场景中处于劣势。但大文件传输、采用C存储写在45MB/s速度下约需19分钟，入速无法了解底层存储技术。度更低

对比之下，实测苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，采用C存储写消费者在512GB和1TB之间选择时，入速

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，数据直接写入QLC层，以50GB数据传输为例，拍照、最低值仅1.14MB/s。

对常规智能手机使用而言，有观点认为，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，在存储使用率达60%时，缓存容量降至约58GB。当存储使用率达到60%左右，缓存耗尽后，相比TLC的3位方案，

HOMOLAB测试显示，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，适合大容量配置。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

不过QLC的写入速度较慢，最低记录为25.6MB/s。在相同物理空间内能存储更多内容，但日常使用中多数用户难以感知。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，则耗时约12.6小时。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。只能看到容量差异，

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